PH2925U和PH2925U,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PH2925U PH2925U,115

描述 NXP  PH2925U  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 2.3 mohm, 4.5 V, 700 mV晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0023 ohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 5

封装 SOT-669 SOT-669

针脚数 4 4

漏源极电阻 2.3 mΩ 0.0023 Ω

耗散功率 62.5 W 62.5 W

阈值电压 700 mV 700 mV

输入电容 - 6150 pF

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

上升时间 - 80 ns

输入电容(Ciss) - 6150pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 62.5 W

下降时间 - 114 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 62.5W (Tc)

极性 N-Channel -

连续漏极电流(Ids) 100 A -

工作结温(Max) 150 ℃ -

封装 SOT-669 SOT-669

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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