MC33171D和TLE2021CD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33171D TLE2021CD MC33171DG

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC33171D  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, SOIC, 8 引脚Excalibur TLE 系列ON SEMICONDUCTOR  MC33171DG  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 2.1 V/µs, ± 1.5V 至 ± 22V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 40.0 V 44.0 V

无卤素状态 - - Halogen Free

供电电流 - 240 µA 220 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

共模抑制比 - 85 dB 80 dB

带宽 1.8 MHz 1.2 MHz 1.8 MHz

转换速率 2.10 V/μs 500 mV/μs 2.10 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.2 MHz 1.8 MHz

输入补偿电压 - 150 µV 2 mV

输入偏置电流 - 25 nA 20 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 2 MHz 1.8 MHz

共模抑制比(Min) 80 dB 85 dB 80 dB

电源电压(Max) - 40 V 44 V

电源电压(Min) - 4 V 3 V

工作电压 - 4V ~ 40V -

输出电流 - ≤20 mA -

耗散功率 - 725 mW -

输入补偿漂移 - 2.00 µV/K -

耗散功率(Max) - 725 mW -

长度 5 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 4 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -

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