MMBT3904和MMBT3904TT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3904 MMBT3904TT1G SMMBT3904LT3G

描述 通用放大器晶体管表面贴装 GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNTON SEMICONDUCTOR  MMBT3904TT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 300 hFE通用晶体管 General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SC-75-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 300 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 300 30 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

频率 - 300 MHz 300 MHz

集电极最大允许电流 - 0.2A 0.2A

增益频宽积 - - 300 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

高度 0.93 mm 0.8 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SC-75-3 SOT-23-3

长度 - 1.65 mm -

宽度 - 0.9 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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