FDW2502P和NTMD6P02R2SG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDW2502P NTMD6P02R2SG FDW2502PZ

描述 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET功率MOSFET 6 A, 20 V , PA ????频道SOICâ ???? 8 ,双 Power MOSFET 6 A, 20 V, P−Channel SOIC−8, Dual双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 TSSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -

额定电流 -4.40 A -7.80 A -

通道数 - 2 -

漏源极电阻 35.0 mΩ 33 mΩ -

极性 P-Channel P-CH P-CH

耗散功率 1.00 W 2 W 1 W

输入电容 - 1.70 nF -

栅电荷 - 35.0 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20 V -

连续漏极电流(Ids) 4.40 A 7.80 A 4.4A

输入电容(Ciss) 1465pF @10V(Vds) 1700pF @16V(Vds) -

额定功率(Max) 600 mW 750 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

上升时间 - - 19 ns

下降时间 - - 19 ns

长度 - 5 mm 4.4 mm

宽度 - 4 mm 3 mm

高度 - 1.5 mm 1 mm

封装 TSSOP-8 SOIC-8 TSSOP-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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