BD678和BD678AS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD678 BD678AS BD678AG

描述 STMICROELECTRONICS  BD678  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE达林顿晶体管 PNP Epitaxial SilON SEMICONDUCTOR  BD678AG.  双极性晶体管

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A 4.00 A

额定功率 - 14 W -

极性 P-Channel PNP PNP, P-Channel

耗散功率 40 W 14 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @2A, 3V 750

额定功率(Max) 40 W 14 W 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 14000 mW 40000 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 750 - 750

长度 - 8 mm 7.74 mm

宽度 - 3.25 mm 2.66 mm

高度 - 11.2 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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