BAS19LT1G和BAS29,215

对比图

型号 BAS19LT1G BAS29,215 BAS19LT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAS19LT1G  二极管 小信号, 单, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mANXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。高压开关二极管 High Voltage Switching Diode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 小信号二极管小信号二极管TVS二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

电容 5 pF - 5.00 pF

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电流 ≤200 mA - ≤200 mA

负载电流 0.2 A - -

针脚数 3 3 -

正向电压 1.25 V 1V @200mA 1.25V @200mA

极性 Standard - Standard

耗散功率 385 mW 250 mW -

热阻 417℃/W (RθJA) 500℃/W (RθJA) 417℃/W (RθJA)

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 200 mA 250 mA -

最大正向浪涌电流（Ifsm） 625 mA 10 A -

正向电压(Max) 1.25 V 1.25 V 1.25V @200mA

正向电流(Max) 200 mA 250 mA 0.2 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW 385 mW

工作结温 - 150℃ (Max) -

长度 3.04 mm 3 mm -

宽度 1.3 mm 1.4 mm -

高度 0.94 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -