HIP2101EIBZT和LM5101CMAX

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HIP2101EIBZT LM5101CMAX HIP2101EIBT

描述 MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC N EP T/R3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate DriversDriver 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC N EP T/R

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) TI (德州仪器) Intersil (英特矽尔)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 9.00V (min) - -

上升/下降时间 10 ns 990ns, 715ns 10 ns

输出接口数 2 2 2

下降时间(Max) 600 ns - -

上升时间(Max) 600 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3100 mW - -

电源电压 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V

静态电流 - 200 µA -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 - - 1.55 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

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