对比图
型号 NDS8858H PHC20512 SI4539ADY-T1-E3
描述 Complementry MOSFET半桥 Complementry MOSFET Half Bridge互补增强型MOS晶体管 Complementary enhancement mode MOS transistorsMOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 SOIC-8 SO SOIC-8
漏源极电阻 0.035 Ω - 36.0 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel N+P N-Channel, P-Channel
耗散功率 2.5 W - 1.10 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.30 A 6.4A/4A 5.90 A
额定功率(Max) 1 W - 1.1 W
额定电流 4.80 A - -
阈值电压 1.6 V - -
漏源击穿电压 30.0 V - -
输入电容(Ciss) 720pF @15V(Vds) - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 SOIC-8 SO SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -