DS1245Y-70+和DS1245AB-70+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245Y-70+ DS1245AB-70+ DS1245Y-70

描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70+  芯片, 存储器, NVSRAM, 1024KB, 128KX8, 32EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245AB-70+  芯片, 存储器, NVRAM1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 32 32 -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70.0 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.25 V -

电源电压(Min) 4.5 V 4.75 V -

工作电压 5 V - -

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

长度 44.19 mm - -

高度 10.92 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR - -

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