对比图
型号 IPD105N04LGBTMA1 IPD079N06L3 G
描述 DPAK N-CH 40V 40AINFINEON IPD079N06L3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0063 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 42W (Tc) 79 W
阈值电压 - 1.7 V
漏源极电压(Vds) 40 V 60 V
上升时间 - 26 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @20V(Vds) 4900pF @30V(Vds)
额定功率(Max) - 79 W
下降时间 - 7 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 42W (Tc) 79W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 40A -
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.413 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99