BSS159NH6327XTSA2和BSS159N E6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS159NH6327XTSA2 BSS159N E6327 BSS138NH6327XTSA2

描述 SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-TransistorINFINEON  BSS159N E6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 VINFINEON  BSS138NH6327XTSA2  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 130 mA -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.7 Ω 1.7 Ω 2.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 360 mW 360 mW 360 mW

阈值电压 3.5 V 2.8 V 1 V

输入电容 - 44.0 pF -

栅电荷 - 2.90 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.23A 130 mA 0.23A

输入电容(Ciss) 39pF @25V(Vds) 44pF @25V(Vds) 41pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 360 mW 360mW (Ta) 360mW (Ta)

额定功率 0.36 W - 0.36 W

通道数 1 - -

漏源击穿电压 60 V - -

上升时间 2.9 ns - 3 ns

额定功率(Max) 360 mW - 360 mW

下降时间 9 ns - 8.2 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 1.1 mm - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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