SI4920DY-T1和SI4920DY-T1-GE3

对比图

型号 SI4920DY-T1 SI4920DY-T1-GE3 SI4920DY-T1-E3

描述 Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOICMOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SO SOIC-8 SOIC-8

极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel, N-Channel Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 6.90 A 6.90 A 6.90 A

额定功率(Max) - 2 W 2 W

漏源极电阻 25.0 mΩ - 0.035 Ω

耗散功率 2.00 W - 2 W

漏源击穿电压 30.0 V - 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

上升时间 12.0 ns - -

热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SO SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

高度 - - 1.55 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free