对比图
型号 ADR434BR-REEL7 ADR434TRZ-EP-R7 ADR434BR
描述 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability串联 10mA超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability
数据手册 ---
制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)
分类 电压基准芯片
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
容差 - ±0.04 % -
输出电压 - 4.096 V -
输出电流 - 10 mA -
供电电流 - 800 µA -
输入电压(Max) - 20 V -
输出电压(Max) - 4.096 V -
输出电压(Min) - 4.096 V -
输出电流(Max) - 10 ma -
工作温度(Max) - 125 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
输入电压 - 6.1V ~ 18V -
工作温度 - -55℃ ~ 125℃ (TA) -
温度系数 - ±3 ppm/℃ -