对比图
型号 IPD025N06N IPD035N06L3G IPD025N06NATMA1
描述 INFINEON IPD025N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 VOptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorINFINEON IPD025N06NATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 167 W 167 W 167 W
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0021 Ω - 0.0021 Ω
阈值电压 2.8 V - 2.8 V
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
漏源击穿电压 60 V - -
连续漏极电流(Ids) 90A - 90A
上升时间 20 ns - 20 ns
输入电容(Ciss) 5200pF @30V(Vds) - 5200pF @30V(Vds)
下降时间 12 ns - 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta), 167W (Tc) - 3W (Ta), 167W (Tc)
额定功率 - - 167 W
输入电容 - - 5200 pF
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
长度 6.5 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.3 mm - 2.41 mm
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - -