2SK3592-01SJ和IXTQ62N15P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SK3592-01SJ IXTQ62N15P IXTP62N15P

描述 N-CH 150V 57A150V 62A PolarHT N沟道 功率 Mosfet TO-3PN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-3-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - 350 W 350 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 57A 62A 62A

上升时间 - 38 ns -

输入电容(Ciss) - 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)

下降时间 - 35 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 350W (Tc) 350W (Tc)

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.04 Ω

阈值电压 - - 5.5 V

长度 - 15.8 mm 10.66 mm

宽度 - 4.9 mm 4.83 mm

高度 - 20.3 mm 9.15 mm

封装 - TO-3-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

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