IXFK120N30T和IXFX120N30T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK120N30T IXFX120N30T IXTK110N30

描述 TO-264 N-CH 300V 120APLUS N-CH 300V 120ATrans MOSFET N-CH 300V 110A 3Pin(3+Tab) TO-264AA

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 960W (Tc) 960 W 730W (Tc)

阈值电压 5 V 5 V -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 120A 120A -

输入电容(Ciss) 20000pF @25V(Vds) 20000pF @25V(Vds) 7800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 960W (Tc) 960W (Tc) 730W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 24 mΩ -

漏源击穿电压 - 300 V -

上升时间 - 31 ns -

额定功率(Max) - 960 W -

下降时间 - 23 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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