对比图
型号 SPB10N10LG SPI10N10L SPP10N10L
描述 N沟道 100V 10.3ASIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-263 TO-262-3-1 TO-220-3-1
额定电压(DC) -100 V 100 V 100 V
额定电流 -10.3 A 10.3 A 10.3 A
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 - 50W (Tc) 50W (Tc)
输入电容 444 pF 444 pF 444 pF
栅电荷 22.0 nC 22.0 nC 22.0 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 10.3 A 10.3 A 10.3 A
输入电容(Ciss) 444pF @25V(Vds) 444pF @25V(Vds) 444pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 50W (Tc) 50W (Tc)
额定功率(Max) 50 W - -
封装 TO-263 TO-262-3-1 TO-220-3-1
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free