IRF1404ZSPBF和IRF1404ZSTRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1404ZSPBF IRF1404ZSTRLPBF IRF230

描述 INFINEON  IRF1404ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Semelab

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-3

引脚数 3 - 3

额定功率 220 W 220 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0037 Ω 0.0027 Ω -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 200 W 200 W -

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

连续漏极电流(Ids) 190A 190A -

上升时间 110 ns 110 ns -

输入电容(Ciss) 4340pF @25V(Vds) 4340pF @25V(Vds) 600pF @25V(Vds)

下降时间 58 ns 58 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 220000 mW 200W (Tc) 75000 mW

通道数 1 - -

额定功率(Max) 200 W - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

长度 10.67 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.83 mm 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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