BUK9609-75A和BUK9609-75A,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9609-75A BUK9609-75A,118

描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETD2PAK N-CH 75V 75A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-263 TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

封装 TO-263 TO-263-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

极性 - N-CH

耗散功率 - 230 W

漏源极电压(Vds) - 75 V

连续漏极电流(Ids) - 75A

上升时间 - 185 ns

输入电容(Ciss) - 8840pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 230 W

下降时间 - 226 ns

工作温度 - -55℃ ~ 175℃

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