对比图



型号 APT10086SVRG IXFT13N100 APT10086SVR
描述 D3PAK N-CH 1000V 13ATrans MOSFET N-CH 1kV 12.5A 3Pin(2+Tab) TO-268Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1000V, 0.86ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 TO-268 TO-268-3 -
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -
额定电流 13.0 A 13.0 A -
漏源极电阻 - 1.05 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 - 300W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V -
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 12.5 A -
输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) 370000 mW 300W (Tc) -
输入电容 4.44 nF - -
栅电荷 275 nC - -
上升时间 10 ns - -
下降时间 10 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-268 TO-268-3 -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube, Rail Tube, Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -