APT10086SVRG和IXFT13N100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10086SVRG IXFT13N100 APT10086SVR

描述 D3PAK N-CH 1000V 13ATrans MOSFET N-CH 1kV 12.5A 3Pin(2+Tab) TO-268Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1000V, 0.86ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-268 TO-268-3 -

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 13.0 A 13.0 A -

漏源极电阻 - 1.05 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 300W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V -

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 12.5 A -

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 370000 mW 300W (Tc) -

输入电容 4.44 nF - -

栅电荷 275 nC - -

上升时间 10 ns - -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-268 TO-268-3 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube, Rail Tube, Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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