对比图
型号 SI7958DP-T1-E3 SI7958DP-T1-GE3
描述 MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOICMOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SO-8
引脚数 - 8
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W
极性 - N-Channel, Dual N-Channel
连续漏极电流(Ids) - 11.3 A
长度 6.15 mm -
宽度 5.15 mm -
高度 1.04 mm -
封装 SO-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free