IXFX24N100和IXFX24N100F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFX24N100 IXFX24N100F APT10035B2LLG

描述 PLUS N-CH 1000V 24APLUS N-CH 1000V 24ATrans MOSFET N-CH 1kV 28A 3Pin(3+Tab) T-MAX

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - - 1.00 kV

额定电流 - - 28.0 A

耗散功率 560 W 560 W 690W (Tc)

输入电容 - - 5.18 nF

栅电荷 - - 186 nC

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 24A 24A 28.0 A

上升时间 35 ns 18 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 8700pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 5185pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 690 W

下降时间 21 ns 11 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 560W (Tc) 560W (Tc) 690W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 390 mΩ -

极性 N-CH N-CH -

漏源击穿电压 - 1000 V -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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