IXFH12N80P和IXFV12N80P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH12N80P IXFV12N80P IXFV12N80PS

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3Pin(3+Tab) TO-247Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-220-3 PLUS-220

引脚数 - - 3

通道数 1 - -

漏源极电阻 850 mΩ - 850 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 360W (Tc) 360W (Tc) 360 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A - 12.0 A

输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

阈值电压 - - 5 V

反向恢复时间 - - 250 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

封装 TO-247-3 TO-220-3 PLUS-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

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