对比图
型号 IPW60R125CP STP30NM60N STI30NM60N
描述 INFINEON IPW60R125CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 VN沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAKN沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-262-3
引脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 208 W 190W (Tc) 190W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 12.5 A 25A
输入电容(Ciss) 2500pF @100V(Vds) 2700pF @50V(Vds) 2700pF @50V(Vds)
耗散功率(Max) 208W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 25.0 A - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.11 Ω - -
阈值电压 3 V - -
输入电容 2.50 nF - -
栅电荷 70.0 nC - -
上升时间 5 ns - -
额定功率(Max) 208 W - -
下降时间 5 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-262-3
长度 16.13 mm - -
宽度 5.21 mm - -
高度 21.1 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -