IS42S32400D-7BLI和IS42S32400F-6BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32400D-7BLI IS42S32400F-6BLI MT48LC4M32B2B5-7:G

描述 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90Pin TFBGASynchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TWBGA-90DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90Pin VFBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 主动器件存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90 90

封装 BGA BGA-90 VFBGA-90

供电电流 - 150 mA 175 mA

位数 32 32 32

存取时间 - 5.4 ns 143 µs

存取时间(Max) 5.4ns, 6.5ns 5.4ns, 6.5ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 - 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 143MHz (max) - 143MHz (max)

内存容量 - - 128000000 B

封装 BGA BGA-90 VFBGA-90

高度 - - 0.65 mm

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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