BC849C和BC849CLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC849C BC849CLT1G BC849B

描述 BC849C NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 420~800 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 2CON SEMICONDUCTOR  BC849CLT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 420 hFETransistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

频率 - 100 MHz -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 100 mA -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 225 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 420 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 250 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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