RN1911(T5L,F,T)和RN1910,LF(CT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN1911(T5L,F,T) RN1910,LF(CT

描述 US NPN 50V 100mA双极晶体管 - 预偏置 BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 TSSOP-6 TSSOP-6

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 5V 120 @1mA, 5V

额定功率(Max) 100 mW 100 mW

极性 NPN -

集电极最大允许电流 100mA -

高度 - 0.9 mm

封装 TSSOP-6 TSSOP-6

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free PB free

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