IPP072N10N3G和IRFB4310ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP072N10N3G IRFB4310ZPBF IPP60R380C6

描述 100V,80A,N沟道功率MOSFETINFINEON  IRFB4310ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 VInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 - 1

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 - 250 W 83 W

漏源极电压(Vds) - 100 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 127A 10.6A

上升时间 - 60 ns 10 ns

输入电容(Ciss) - 6860pF @50V(Vds) 700pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 250 W 83 W

下降时间 - 57 ns 9 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 250000 mW 83W (Tc)

额定功率 - 250 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0056 Ω -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 6860 pF -

漏源击穿电压 - 100 V -

长度 - 10.67 mm 10.36 mm

宽度 4.4 mm 4.83 mm 4.57 mm

高度 - 9.02 mm 15.95 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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