对比图
型号 TLE2082AIDG4 TLE2082AIDR TLE2082AID
描述 神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSJFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器，Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
输出电流 ≤80 mA ≤80 mA ≤80 mA
供电电流 3.1 mA 3.1 mA 3.1 mA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
耗散功率 0.725 W 0.725 W 0.725 W
共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB
输入补偿漂移 2.40 µV/K 2.40 µV/K 2.40 µV/K
带宽 9.40 MHz 9.40 MHz 9.4 MHz
转换速率 40.0 V/μs 40.0 V/μs 40.0 V/μs
增益频宽积 9.4 MHz 10 MHz 9.4 MHz
输入补偿电压 700 µV 700 µV 4 mV
输入偏置电流 20 pA 20 pA 20 pA
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 - 10 MHz 10 MHz
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW
共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.91 mm - 3.91 mm
高度 1.58 mm - 1.58 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15