对比图
型号 IXTA3N110 IXTA3N120
描述 D2PAK N-CH 1100V 3A表面贴装型 N 通道 1200V 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3
通道数 1 1
漏源极电阻 4 Ω -
极性 N-CH -
耗散功率 150 W 200 W
漏源极电压(Vds) 1100 V 1200 V
漏源击穿电压 1100 V -
连续漏极电流(Ids) 3A 3.00 A
上升时间 15 ns -
输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
下降时间 18 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -
耗散功率(Max) 150W (Tc) 200W (Tc)
额定电压(DC) - 1.20 kV
额定电流 - 3.00 A
额定功率(Max) - 200 W
长度 9.9 mm -
宽度 9.2 mm 9.65 mm
高度 4.5 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free