VND830E13TR和VND830ETR-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND830E13TR VND830ETR-E

描述 Power Switch Hi Side 9A 16Pin SO T/R13.5A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO16, ROHS COMPLIANT, SOP-16

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

引脚数 16 16

封装 SO-16 SOIC-16

安装方式 Surface Mount -

输出接口数 2 2

供电电流 - 0.012 mA

耗散功率 8300 mW 8300 mW

输出电流(Max) 6 A 9.5 A

输入数 - 2

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 8300 mW

输出电流 9 A -

电源电压(Max) 36 V -

电源电压(Min) 5.5 V -

封装 SO-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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