1N4006-G和BYW27-800

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4006-G BYW27-800 HER107

描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; Package: Ammo Pack; DO41; 1.5usTAIWAN SEMICONDUCTOR  HER107  快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 1 A, 1.7 V, 75 ns, 30 A

数据手册 ---

制造商 HY Electronic Diotec Semiconductor Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 功率二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - DO-41 DO-41-2

反向恢复时间 - 1500 ns 75 ns

正向电流 - - 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 30 A

正向电压(Max) - - 975 mV

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -50 ℃ -65 ℃

负载电流 - 1 A -

正向电压 - 1.3 V -

高度 - - 5.20 mm

封装 - DO-41 DO-41-2

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Ammo Pack Each

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

军工级 - - Yes

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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