UCLAMP1211P.TCT和UCLAMP1201P.TCT

对比图

型号 UCLAMP1211P.TCT UCLAMP1201P.TCT UCLAMP3301P.TCT

描述 Clamp™ 瞬态电压抑制器，用于 ESD 保护，SemtechSemtech 系列 μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。 由于采用了紧凑型封装，μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管特别适用于便携式应用，如移动电话和移动电话附件、笔记本电脑、台式机和服务器。 二极管还可用于带有激光二极管保护和模拟输入的应用。 **μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管的功能和优点** •瞬时保护，用于数据线路，符合 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（空气），±8kV（触点） IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (tp = 5/50ns) 电缆放电事件 (CDE) •超小型封装 (1.0 x 0.6 x 0.5mm) •低漏泄电流 •固态硅雪崩技术### 瞬态电压抑制器，SemtechClamp™ 瞬态电压抑制器，用于 ESD 保护，SemtechSemtech 系列 μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。 由于采用了紧凑型封装，μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管特别适用于便携式应用，如移动电话和移动电话附件、笔记本电脑、台式机和服务器。 二极管还可用于带有激光二极管保护和模拟输入的应用。 **μClamp™ 瞬态电压抑制器二极管的功能和优点** •瞬时保护，用于数据线路，符合 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（空气），±8kV（触点） IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (tp = 5/50ns) 电缆放电事件 (CDE) •超小型封装 (1.0 x 0.6 x 0.5mm) •低漏泄电流 •固态硅雪崩技术### 瞬态电压抑制器，SemtechuClamp 系列 8 V 25 pF 低压 uClamp 用于 ESD & CDE 保护 - SLP-1006P2

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Semtech Corporation Semtech Corporation

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 0402 0402 0402

封装(公制) 1005 1005 -

电容 25 pF 60 pF 25 pF

钳位电压 28.5 V 25 V 8 V

最大反向电压（Vrrm） 12V 12V 3.3V

脉冲峰值功率 200 W 200 W 40 W

最小反向击穿电压 13.3 V 13.3 V 3.5 V

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

击穿电压 13.3 V 13.3 V -

通道数 - 1 -

耗散功率 200 W 200 W -

测试电流 1 mA 1 mA -

最大反向击穿电压 18 V 17.5 V -

击穿电压 13.3 V 13.3 V -

工作结温 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

工作电压 12 V - -

额定功率 200 W - -

高度 0.47 mm 0.47 mm 0.47 mm

封装 0402 0402 0402

长度 1 mm 1 mm -

宽度 0.6 mm 0.6 mm -

封装(公制) 1005 1005 -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ (TJ) -55℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free