IRF740和STP11NB40

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF740 STP11NB40 IRF740B

描述 N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFETN - CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A - TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 1

漏源极电阻 550 mΩ 480 mΩ 430 mΩ

耗散功率 125 W 125 W 134 W

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

漏源击穿电压 400 V 400 V 400 V

上升时间 10 ns 10 ns 80 ns

输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 1250pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

下降时间 - 10 ns 85 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ 65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125000 mW 134W (Tc)

额定电压(DC) 400 V - -

额定电流 10.0 A - -

极性 N-Channel - N-Channel

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A - 10.0 A

额定功率(Max) 125 W - 134 W

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 9.15 mm 9.15 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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