对比图
型号 TLE2062AMDR TLE2062CD TLE2062AMD
描述 神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERSJFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器，Texas InstrumentsJFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器，Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
输出电流 ≤80 mA - ≤80 mA
供电电流 625 µA 625 µA 625 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB
输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 6.00 µV/K
带宽 - 2 MHz 1.8 MHz
转换速率 3.40 V/μs 3.40 V/μs 3.40 V/μs
增益频宽积 1.8 MHz 1.8 MHz 1.8 MHz
输入补偿电压 800 µV 900 µV 800 µV
输入偏置电流 4 pA 4 pA 4 pA
工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 0 ℃ -55 ℃
增益带宽 - 2 MHz 2 MHz
共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB
电源电压(DC) - 36.0V (max) -
工作电压 - 7V ~ 36V -
针脚数 - 8 -
长度 - 4.9 mm 4.9 mm
宽度 - 3.91 mm 3.91 mm
高度 - 1.5 mm 1.58 mm
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99