IRF7328PBF和SI4943BDY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7328PBF SI4943BDY-T1-E3 FDS4935BZ

描述 2个P沟道 30V 8A双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4935BZ.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -8.00 A - -6.90 A

漏源极电阻 32 mΩ 19 mΩ 0.018 Ω

极性 P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 1.6 W

产品系列 IRF7328 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 -30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) -8.00 A -8.40 A -6.90 A

输入电容(Ciss) 2675pF @25V(Vds) - 1360pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 1.1 W 900 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

上升时间 - 10 ns 13 ns

反向恢复时间 - 55 ns -

正向电压(Max) - 1.2 V -

下降时间 - 60 ns 38 ns

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW 1600 mW

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1.9 V

输入电容 - - 1.36 nF

栅电荷 - - 40.0 nC

栅源击穿电压 - - ±25.0 V

长度 5 mm - 5 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 - - 4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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