对比图
型号 IXTK110N20L2 IXTX110N20L2
描述 N沟道 200V 110AN沟道 200V 110A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-264-3 TO-247-3
极性 - N-CH
耗散功率 960 W 960 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - 110A
上升时间 100 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 23000pF @25V(Vds) 23000pF @25V(Vds)
下降时间 135 ns 135 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 960W (Tc) 960W (Tc)
封装 TO-264-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free