TLV2254AQDREP和TLV2254AQDRG4Q1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2254AQDREP TLV2254AQDRG4Q1 TLV2324ID

描述 中晚期原发性肝癌LinCMOSâ ?? ¢ RAIL- TO -RAIL极低功耗OPERATIOPNAL放大器 Advanved LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY-LOW-POWER OPERATIOPNAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOSE低电压低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

输出电流 - - ≤30 mA

供电电流 140 µA 140 µA 39 µA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

耗散功率 0.95 W 950 mW 0.95 W

共模抑制比 70 dB - 65 dB

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 1.10 µV/K

带宽 187 kHz 187 kHz 27.0 kHz

转换速率 120 mV/μs 120 mV/μs 30.0 mV/μs

增益频宽积 200 kHz 200 kHz 0.085 MHz

输入补偿电压 0.85 mV 200 µV 1.1 mV

输入偏置电流 0.06 nA 1 pA 0.6 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.2 MHz - 85 kHz

耗散功率(Max) - - 950 mW

共模抑制比(Min) - - 65 dB

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

长度 8.65 mm 8.65 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台