BC327-25,112和BC32725

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC327-25,112 BC32725 BC327-25

描述 TO-92 PNP 45V 0.5APNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORTrans GP BJT PNP 45V 0.8A 625mW Automotive 3Pin TO-92 Ammo

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

极性 PNP PNP, P-Channel -

耗散功率 625 mW 625 mW 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.5A - -

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

频率 - - 100 MHz

增益频宽积 - - 100 MHz

额定电压(DC) - -45.0 V -

额定电流 - -800 mA -

最大电流放大倍数(hFE) - 630 -

直流电流增益(hFE) - 250 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk Roll, Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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