对比图
型号 FDMC6679AZ FDMC7692 FDMC7692S
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC6679AZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0086 ohm, -10 V, -1.8 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道功率沟槽？ SyncFETTM N-Channel Power Trench? SyncFETTM
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power-33-8 PowerWDFN-8 Power-33-8
漏源极电阻 0.0086 Ω 0.0072 Ω 0.0078 Ω
极性 P-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 41 W 29 W 2.3 W
阈值电压 1.8 V 1.9 V 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 11.5A 13.3A 12.5A
上升时间 14 ns 4 ns 3 ns
输入电容(Ciss) 3970pF @15V(Vds) 1680pF @15V(Vds) 1385pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.3 W 2.3 W 2.3 W
下降时间 46 ns 3 ns 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.3W (Ta), 29W (Tc) 2.3W (Ta), 27W (Tc)
通道数 1 - -
针脚数 8 - -
漏源击穿电压 30 V - -
长度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm
宽度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm
高度 0.75 mm 0.75 mm 0.8 mm
封装 Power-33-8 PowerWDFN-8 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
香港进出口证 NLR - -