199D106X9035D1V1E3和199D106X9035D2V1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D106X9035D1V1E3 199D106X9035D2V1E3 MCDT10K35-1-RH

描述 VISHAY  199D106X9035D1V1E3  钽电容, 10uF, 35V, 径向引线Cap Tant Solid 10uF 35V 10% (6 X 10.16mm) Radial 2.54mm 125℃ BulkMULTICOMP  MCDT10K35-1-RH  钽电容, 10uF 10%容差 35V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Multicomp

分类 钽电容电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

引脚间距 2.54 mm - 2.5 mm

额定电压(DC) 35 V - 35.0 V

电容 10 µF 10.0 µF 10 µF

等效串联电阻(ESR) - - 2 Ω

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

产品系列 - - MCDT

工作温度(Max) 85 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压 35 V 35 V 35 V

高度 10.16 mm - 9.5 mm

直径 - - Φ5mm

引脚间距 2.54 mm - 2.5 mm

长度 0.4 in - -

介质材料 - - Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

包装方式 Each Bulk Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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