IDT7200L50J和IDT7200L50TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT7200L50J IDT7200L50TP 7200L50TP

描述 IC MEM FIFO 256X9 50NS 32-PLCCFIFO, 256X9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28先进先出 256 X 9 CMOS PARALLEL 先进先出

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 QCCJ DIP-28 PDIP-28

引脚数 - - 28

封装 QCCJ DIP-28 PDIP-28

长度 - - 34.3 mm

宽度 - - 7.62 mm

高度 - - 3.3 mm

厚度 - - 3.30 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

电路数 - - 1

存取时间 - - 50 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 - - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃

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