对比图
描述 P沟道 20V 3AP沟道,Vdss=20V,Idss=3.2A
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 P-CH P-Channel
耗散功率 1.4 W 1.4 W
输入电容 443 pF -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 3A 3.3A
上升时间 20 ns 10.3 ns
输入电容(Ciss) 443pF @16V(Vds) 627pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W
下降时间 41 ns 22.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1400 mW 1400 mW
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.06 Ω
阈值电压 - 600 mV
漏源击穿电压 - 20 V
长度 2.9 mm 2.9 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
宽度 - 1.3 mm
高度 - 1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99