CFH800和FHC40LG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CFH800 FHC40LG NE722S01

描述 典型的共源极S - 参数 Typical Common Source S - ParametersRF Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE LG, SMT, 4PinNECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Sumitomo (住友) NEC (日本电气)

分类

基础参数对比

封装 - CASE LG -

频率 - 4 GHz -

封装 - CASE LG -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台