IS41LV16256-35T和IS41LV16256C-35TLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS41LV16256-35T IS41LV16256C-35TLI IS41LV16256B-35TL

描述 DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40Pin TSOP-II4M, 3.3V EDO DRAM, Async, 256Kx16, 35ns, 40Pin TSOP II, RoHS, ITDRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40Pin TSOP-II

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 40 40

封装 TSOP-2 TSOP-40 TSOP

供电电流 - 230 mA -

位数 - 16 16

存取时间(Max) - 35 ns 35 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

存取时间 - - 35.0 ns

内存容量 - - 4000000 B

封装 TSOP-2 TSOP-40 TSOP

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

ECCN代码 - - EAR99

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