BF1109R和BF1109R,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1109R BF1109R,215

描述 BF1109R N沟道MOSFET 11V 30mA SOT-143 marking/标记 NB 低传导损耗/低开关损耗Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4Pin(3+Tab) SOT-143R T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-143 SOT-143-4

引脚数 - 4

封装 SOT-143 SOT-143-4

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

频率 - 800 MHz

额定电流 - 30 mA

耗散功率 - 200 mW

阈值电压 - 1.2 V

漏源击穿电压 - ±11 V

增益 - 20 dB

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW

额定电压 - 11 V

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