IRLR7807ZTRPBF和IRLR7807ZTRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR7807ZTRPBF IRLR7807ZTRRPBF IRLR7807ZTRLPBF

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 30V 43ADPAK N-CH 30V 43A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 40 W 40W (Tc) 40W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 43A 43A 43.0 A

上升时间 28 ns 28 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 780pF @15V(Vds) 780pF @15V(Vds) 780pF @15V(Vds)

下降时间 3.5 ns 3.5 ns 3.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)

额定功率 40 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.011 Ω - -

阈值电压 1.8 V - -

额定功率(Max) 40 W - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 7.49 mm - -

高度 2.39 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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