2SD882和KSD882YSTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SD882 KSD882YSTU 2SD882-BP

描述 NPN 功率晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。TO-126 NPN 30V 3A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126

引脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 - 3A 3A

频率 90 MHz 90 MHz -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 3.00 A 3.00 A -

耗散功率 12.5 W 1 W -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 2V 160 @1A, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 400 -

额定功率(Max) 12.5 W 1 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 12500 mW 10 W -

额定功率 12.5 W - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126

长度 7.8 mm 8.3 mm -

宽度 2.7 mm 3.45 mm -

高度 10.8 mm 11.2 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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