IS61LPS25636A-200TQI和IS61LPS25636A-200TQLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61LPS25636A-200TQI IS61LPS25636A-200TQLI IS61LPS25636A-200TQI-TR

描述 静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3vINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61LPS25636A-200TQLI IC, SRAM, 8Mbit, 256K x 36Bit, 3.1ns Access Time, Parallel, 3.135V to 3.465V supply, TQFP-100静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 100 100 100

封装 TQFP-100 TQFP-100 TQFP-100

电源电压(DC) 3.30 V, 3.47 V (max) 3.30 V, 3.47 V (max) 3.30 V, 3.47 V (max)

时钟频率 200MHz (max) 200 MHz 200MHz (max)

位数 36 36 -

存取时间 3.1 ns 3.1 ns 3.1 ns

内存容量 9000000 B 1000000 B 9000000 B

存取时间(Max) 3.1 ns 3.1 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

频率 - 200 MHz -

封装 TQFP-100 TQFP-100 TQFP-100

长度 - - 20 mm

宽度 - - 14 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tray Tray Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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