1N4371E3和JANTXV1N4371A-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4371E3 JANTXV1N4371A-1 JAN1N4371A-1

描述 DO-35 2.7V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 DO-35 DO-35 DO-35

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW - 480 mW

测试电流 20 mA 20 mA 20 mA

稳压值 2.7 V 2.7 V 2.7 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 -

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